2026年6月2日，在Computex 2026活动上展示其第八代高带宽内存（HBM）HBM5首款实体原型产品。该样机搭载三星自研封装散热技术，即导热路径块（Heat Path Block，HPB），针对性解决高端AI内存的高热难题，一经亮相便获得全球硬件行业与专业媒体的高度关注。
元股证券:ygzq.hk三星确认，HBM5底层基底裸片（base die）将全面采用三星自研2nm先进制程工艺打造，实现了HBM核心制程的迭代升级，而上一代HBM4、HBM4E产品均沿用4nm制程工艺。作为行业内同时具备完整内存研发制造与逻辑晶圆代工能力的头部企业，三星可实现HBM5芯片堆叠封装、底层逻辑裸片的全流程自主生产，形成独特的垂直整合优势，大幅提升了下一代AI内存产品的迭代效率与核心竞争力。
传统HBM内存普遍依赖核心裸片向外逐层传导散热，散热路径长、热损耗高，难以适配高堆叠、高带宽的AI算力场景。而三星全新HPB散热架构完成了散热逻辑的颠覆性优化：通过在内存堆叠芯片内部增设专属独立导热柱结构，直接从堆叠核心区域快速导出集中热量，再精准传导至封装顶部或侧边的均热板完成全域散热，彻底规避传统散热方案的短板。
该方案重点针对裸片互连物理层（D2D PHY）深度优化，该区域是HBM基底裸片与GPU、AI加速器之间的高速数据传输核心通道。随着AI内存堆叠层数增多、传输速率持续提升，该区域功率密度与工作温度呈指数级暴涨，已然成为制约高端HBM性能释放、长期稳定运行的核心热瓶颈，而HPB架构可精准破解这一行业痛点。
三星官方透露，HPB散热技术已率先在HBM4E产品上完成落地测试与规模化验证，技术成熟度已完全达标。企业已于2026年5月底正式出货12层堆叠架构的HBM4E工程样品，该样品基准传输速率达14Gbps，可超频至16Gbps，单堆叠带宽高达3.6TB/s，单颗容量48GB，相较前代HBM4产品，在传输性能、运行能效与稳定性上实现全方位升级，为HBM5的技术落地奠定了坚实基础。
目前，HBM5整体产品仍处于原型验证与技术打磨阶段，三星与SK海力士均公开预估，这款新一代AI高速内存预计2028年前后实现规模化量产商用。未来，随着HBM内存向着更高堆叠层数、更宽传输接口、嵌入式智能散热方向持续演进，先进封装技术与定制化散热方案将取代传统制程迭代，成为决定AI算力基础设施性能上限、稳定度与能效水平的核心关键。
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